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華科智源-HTGB高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)GKH-HTGB-C
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間2026/4/22 10:45:52
  • 訪問次數(shù)34
產(chǎn)品標(biāo)簽:

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  深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù),坐落于改革開放之都-中國(guó)深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,功率循環(huán),雪崩及浪涌測(cè)試設(shè)備,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等,客戶行業(yè)涉及軌道交通,地鐵,電驅(qū)動(dòng),新能源汽車,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,家電等領(lǐng)域;華夏神州,科技興國(guó),智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長(zhǎng);華科智源公司核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué),復(fù)旦大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建,致力于中國(guó)功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國(guó)家提出的中國(guó)制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備國(guó)產(chǎn)化。
igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,10us浪涌電流測(cè)試儀,分立器件測(cè)試儀,柵極電阻/電容測(cè)試儀
華科智源-HTGB高溫柵偏系統(tǒng),將被測(cè)量元件放置在一定的環(huán)境溫度中,給被測(cè)元件的柵極施加一定的偏置電壓。系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測(cè)每個(gè)材料的漏電流、電壓,當(dāng)被測(cè)材料實(shí)時(shí)漏電流超過設(shè)定值時(shí),自動(dòng)切斷被測(cè)材料上的電壓。
華科智源-HTGB高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng) 產(chǎn)品信息


★主要技術(shù)規(guī)格和性能:
產(chǎn)品型號(hào)GKH-HTGB-C16
產(chǎn)品名稱高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng)
高溫試驗(yàn)箱PH-201高溫試驗(yàn)箱一臺(tái),
試驗(yàn)區(qū)域16個(gè) 
試驗(yàn)容量每通道80工位,共16通道。
試驗(yàn)電源選配TDK的Z+系列電源或安捷倫試驗(yàn)電源。
電源數(shù)量:配置4臺(tái)/8臺(tái)電源。
輸出范圍:0~35V或0~60V。
主要功能① 正常HTGB試驗(yàn),通過按鈕可以選擇正柵壓或負(fù)柵壓,兩種偏壓工作時(shí)只能二選一,不能同時(shí)工作。
② 熱阻測(cè)量,即測(cè)量HTGB工作時(shí)的Tj值。
③ 高溫試驗(yàn)箱內(nèi)可放置4層板或8層板。具體需根據(jù)器件的封裝尺寸定義。當(dāng)被測(cè)量模塊體積過大時(shí),由于體積的限制,被測(cè)器件數(shù)據(jù)需相應(yīng)減少。
④ 可選配溫度為300℃的高溫試驗(yàn)箱。
測(cè)控功能① 檢測(cè)每個(gè)材料的電壓、漏電流值。
② 漏電流超限保護(hù),自動(dòng)切斷測(cè)量回路。
③ 測(cè)量電流范圍:1nA~100uA;
④ 電流分辨率:0.5nA;
⑤ 測(cè)量精度:±2%±3nA;
防靜電設(shè)計(jì)① 設(shè)備外殼良好接地;
② 預(yù)留靜電接地端子(香蕉插頭插孔)方便操作員連接靜電環(huán)。
計(jì)算機(jī)工業(yè)級(jí)電腦主機(jī)、液晶顯示器、專用鍵盤及鼠標(biāo)。WINDOWS操作界面,友好的人機(jī)對(duì)話窗口, 強(qiáng)大的圖形編輯能力以及強(qiáng)大的器件庫供用戶選擇,軟件操作簡(jiǎn)單易學(xué)。更有系統(tǒng)查詢?cè)\斷功能, 試驗(yàn)狀況一目了然,方便用戶隨時(shí)查驗(yàn)。
老化板可按客戶的器件封裝定制老化板。
電網(wǎng)要求單相AC220V±10%,47Hz~63Hz,6KW
外形尺寸W1360mmхH1820mmхD1320mm
重量約500kg 


高溫反偏試驗(yàn)(High Temperature Reverse Bias Test,HTRB)是在高溫下加上反向偏壓的工作模式,由于高溫下漏電流增加,質(zhì)量差的器件就會(huì)失效,以此評(píng)估產(chǎn)品的可靠性。

測(cè)試溫度:125℃,150℃或175℃。

測(cè)試時(shí)間:168h,500h,1000h。

測(cè)試目的:研究器件在靜態(tài)工作模式下,以額定反向直流電壓下或者80%額定反向直流電壓進(jìn)行工作,以確定偏置條件和溫度隨時(shí)間對(duì)固態(tài)設(shè)備的影響。

參考測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A108

 

高溫柵偏試驗(yàn)(High Temperature Gate Bias, HTGB)主要是用于測(cè)定柵氧本身及相關(guān)界面的可靠性。

測(cè)試溫度:150℃或175℃。

測(cè)試時(shí)間:500h,1000h。

參考測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A108

HTBR和HTGB是可靠性測(cè)試中見的測(cè)試項(xiàng)目。

適用測(cè)試器件:功率二極管, SiC肖特基和肖特基二極管,晶閘管,三端雙向可控硅和IGBT。

試驗(yàn)設(shè)備:高溫反偏試驗(yàn)機(jī)


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